在过去的 50 年中，影响最深远的技术成就可能是晶体管一如既往地稳步向更小迈进，使它们更紧密地结合在一起，并降低了它们的功耗。然而，自从 20 多年前笔者在英特尔开始职业生涯以来，我们就一直在听到警报——晶体管下降到无穷小的状态即将结束。

【新智元导读】3D堆叠CMOS将是把摩尔定律延伸到下一个十年的关键。 晶体管，被誉为「20世纪最伟大的发明」。 它的出现为集成电路、微处理器以及计算机内存的产生奠定了基础。 1965年，「摩尔定律」的提出成为半导体行业几十年来的金科玉律。 它表明，每隔 ...

我们相信这种 3D 堆叠的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或 CFET（互补场效应晶体管）将是将摩尔定律延伸到下一个十年的关键。 在过去的 50 年中，影响最深远的技术成就可能是晶体管一如既往地稳步向更小迈进，使它们更紧密地结合在一起，并降低了它们的功耗。

【嘉勤点评】华润微发明的半导体制造方案，解决了传统CMOS生产工艺中漏电路径、隔离失效的问题，通过提高阈值电压补偿区域中空穴的浓度，使得半导体器件能够避免受到辐射后产生电路漏电设置器件误开启、电路误翻转等问题，且可适应太空高辐射环境。

这个问题的基本答案是，逻辑高表示电源轨上的电压，代表二进制 1，逻辑低表示地电压，代表二进制 0。这个描述是一个很好的起点，它变得更如果我们说“靠近电源轨”和“靠近地”而不是“在电源轨处”和“在地”，那么是准确的。此修改考虑了流过 NMOS 或 ...

以一个实际的CMOS反相器实物为例，从逆向的角度出发，为大家简单介绍其在芯片中的具体呈现形式。通过这一过程，希望能够帮助各位读者在后续的逆向工程实践中，快速而准确地判断出CMOS反相器，从而为深入分析芯片的整体架构和功能奠定坚实的基础。

PMOS transistors are less vulnerable to substrate noise since they’re placed in separate wells; designers implement guard rings to attenuate the substrate noise propagation. However, substrate noise ...

Since CMOS has been around for about 50 years, a comprehensive history would be a book. This blog focuses on what I consider the major transitions. Before CMOS, there was NMOS (also PMOS, but I have ...

Designers of electronics and communications systems are constantly faced with the challenge of integrating greater functionality on less silicon area. Many of the system blocks – such as power ...

The Nature Index 2024 Research Leaders — previously known as Annual Tables — reveal the leading institutions and countries/territories in the natural and health sciences, according to their output in ...