在过去的 50 年中，影响最深远的技术成就可能是晶体管一如既往地稳步向更小迈进，使它们更紧密地结合在一起，并降低了它们的功耗。然而，自从 20 多年前笔者在英特尔开始职业生涯以来，我们就一直在听到警报——晶体管下降到无穷小的状态即将结束。

【新智元导读】3D堆叠CMOS将是把摩尔定律延伸到下一个十年的关键。 晶体管，被誉为「20世纪最伟大的发明」。 它的出现为集成电路、微处理器以及计算机内存的产生奠定了基础。 1965年，「摩尔定律」的提出成为半导体行业几十年来的金科玉律。 它表明，每隔 ...

我们相信这种 3D 堆叠的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或 CFET（互补场效应晶体管）将是将摩尔定律延伸到下一个十年的关键。 在过去的 50 年中，影响最深远的技术成就可能是晶体管一如既往地稳步向更小迈进，使它们更紧密地结合在一起，并降低了它们的功耗。

【嘉勤点评】华润微发明的半导体制造方案，解决了传统CMOS生产工艺中漏电路径、隔离失效的问题，通过提高阈值电压补偿区域中空穴的浓度，使得半导体器件能够避免受到辐射后产生电路漏电设置器件误开启、电路误翻转等问题，且可适应太空高辐射环境。

这个问题的基本答案是，逻辑高表示电源轨上的电压，代表二进制 1，逻辑低表示地电压，代表二进制 0。这个描述是一个很好的起点，它变得更如果我们说“靠近电源轨”和“靠近地”而不是“在电源轨处”和“在地”，那么是准确的。此修改考虑了流过 NMOS 或 ...

以一个实际的CMOS反相器实物为例，从逆向的角度出发，为大家简单介绍其在芯片中的具体呈现形式。通过这一过程，希望能够帮助各位读者在后续的逆向工程实践中，快速而准确地判断出CMOS反相器，从而为深入分析芯片的整体架构和功能奠定坚实的基础。

When a CMOS circuit is in an idle state there is still some static power dissipation–a result of leakage current through nominally off transistors. Both nMOS and pMOS transistors used in CMOS logic ...

PMOS transistors are less vulnerable to substrate noise since they’re placed in separate wells; designers implement guard rings to attenuate the substrate noise propagation. However, substrate noise ...

Since CMOS has been around for about 50 years, a comprehensive history would be a book. This blog focuses on what I consider the major transitions. Before CMOS, there was NMOS (also PMOS, but I have ...

Designers of electronics and communications systems are constantly faced with the challenge of integrating greater functionality on less silicon area. Many of the system blocks – such as power ...