5G的快速部署，使得在基站中大量使用的功率放大器（PA,简称功放）芯片及其他射频组件的需求持续增长，成为各家射频公司争夺的焦点。 在基站应用中，主要用于增强射频信号的PA有两种技术路线，一种是采用硅工艺的LDMOS（Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor ...

上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，日前发布了基于其稳定的0.18微米逻辑平台的先进45V LDMOS电源管理制程。 上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，日前发布了基于其稳定的0.18微米逻辑平台的先进45V LDMOS电源管理制程。 与传统线宽相比，0.18 ...

在MTT国际微波研讨会上，英飞凌科技股份公司展示了下一代LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)工艺。该工艺可用于制造适用于无线网络基站和中继器的功率放大器等产品的高功率RF(射频)晶体管。采用这种工艺制造的设备的工作频率，可以满足高速无线接入网络 ...

【编辑推荐】针对SiC LDMOS器件高饱和电流(Idsat )导致的短路风险及电场集中问题，研究人员提出集成自调节JFET(AD-JEFT)与双RESURF ...

本刊编辑推荐：为解决高压射频LDMOS晶体管在功率应用中因自热效应(SH)引发的性能退化问题，研究人员开展了基于130nm BCD工艺的多指结构热管理特性研究。通过建立四阶热网络模型，首次在BSIM-BULK框架内实现了宽频域自热效应的精准表征，发现指状结构数量(NF ...

第二十五届中国专利奖在10月13日举行的中国国际专利技术与产品交易会上颁奖。经中国专利奖评审委员会评审，社会公示，国家知识产权局和世界知识产权组织决定授予“用于制备高压LDMOS器件的方法及器件”等30项发明、实用新型专利中国专利金奖，“汽车 ...