【摘要】针对硅基绝缘栅双极型晶体管（IGBT）难以进一步满足电动汽车高功率密度、低导通损耗、高散热能力等需求的不足，综述了车用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC-MOSFET）的最新研究进展。通过总结SiCMOSFET 在电动汽车牵引逆变器、DC/DC 电源变换 ...
本文介绍了新的CoolSiC™ 2000V SiC沟槽栅MOSFET系列。该系列单管产品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封装，具有加大的爬电距离和电气间隙，使用.XT焊接芯片技术。芯片同时用于62mm封装的半桥模块和EasyPACK™ 3B封装的升压模块。这些产品的性能提高了系统功率密度，可靠性和 ...
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