不管是电源开关、电机驱动，还是各类转换器，NMOS总是首选。难道PMOS不好用吗？其实并不是，而是NMOS在性能上具有天然的优势。 要说清楚NMOS为什么更受欢迎，我们得先回到半导体物理的基础——载流子迁移率。简单来说，迁移率代表了载流子在电场作用下的 ...

在性能相当的条件下，一颗 PMOS 管的器件面积通常需要达到 NMOS 管的 2~3 倍。更大的面积不仅影响芯片的集成度，也会带来更高的导通电阻和输入输出电容，进而增加电路延迟。 与此同时，若尺寸相同，PMOS 的沟道导通电阻一般大于 NMOS，因此其开关过程中的导通 ...

为特定CMOS工艺节点设计的SPICE模型可以增强集成电路晶体管的模拟。了解在哪里可以找到这些模型以及如何使用它们。 本文引用地址： 我最近写了一系列关于CMOS反相器功耗的文章。该系列中的模拟采用了LTspice库中预加载的nmos4和pmos4模型。虽然这种方法完全 ...

互补型场效应晶体管 (CFET：COMPLEMENTARY FET ) 器件架构有望在逻辑技术路线图中取代环栅 (GAA) 纳米片晶体管。在 CFET 器件中，n 型和 p 型 MOS 晶体管堆叠在一起，首次消除了标准单元高度中 n-p 间距的限制。因此，如果能与先进的晶体管接触和供电技术相结合，CFET 器件架构有望大幅缩小逻辑标准单元尺寸。 在所有可能的集成流程中，单片CFET (mCFET： ...

专利摘要显示，本申请提供一种具有检测电路的芯片、检测方法及设备，涉及电子技术领域，用于区分芯片的工艺角中的FS工艺角和SF工艺角。该芯片还包括基于MOS管的功能电路，该检测电路的检测结果用于调整该功能电路的工作电压，检测电路包括检测子电路 ...

Even as industry moves into the era of the high k metal gate (HKMG) and FinFET transistor, chipmakers continue to seek ways to improve device performance. One of the latest advances and the subject of ...

For years—decades, in fact—the NMOS transistor world has been on cruise control. NMOS is naturally faster and its performance has scaled better than PMOS. PMOS has had a cost advantage. But lately, it ...

PMOS transistors are less vulnerable to substrate noise since they’re placed in separate wells; designers implement guard rings to attenuate the substrate noise propagation. However, substrate noise ...

X-Fab Silicon Foundries has added 375V power transistors to the devices available from its 180nm deep trench isolation BCD-on-SoI platform chip fab. The second generation of its XT018 super-junction ...