NMOS在实际应用中为何比PMOS要更受欢迎，本文将从导电沟道、电子迁移率和器件速度等多个方面来展开讲解。 首先是在性能 ...

随着对器件的控制需求提升，越来越多的电源开关电路出现在设计中。这些设计的目的各有不同：有的需要快速开通与关断，有的需要低导通电阻+大电流，有的需要闲时0功耗。虽然应用场合不同，但做开关可是MOS的强项。 下面来介绍几种产品设计中常用的MOS做 ...

最近几年，许多智能穿戴设备、TWS耳机、NB-IOT、SSD等产品中都在大量使用集成负载开关(Load Switch)来替代分立功率MOS作开关，这是因为集成负载开关有分立功率MOS开关无法比拟的优势。下面将对分立功率MOS开关和集成负载开关进行简单的对比。 01 单个PMOS 单个PMOS ...

互补型场效应晶体管 (CFET：COMPLEMENTARY FET ) 器件架构有望在逻辑技术路线图中取代环栅 (GAA) 纳米片晶体管。在 CFET 器件中，n 型和 p 型 MOS 晶体管堆叠在一起，首次消除了标准单元高度中 n-p 间距的限制。因此，如果能与先进的晶体管接触和供电技术相结合，CFET 器件架构有望大幅缩小逻辑标准单元尺寸。 在所有可能的集成流程中，单片CFET (mCFET： ...

为特定CMOS工艺节点设计的SPICE模型可以增强集成电路晶体管的模拟。了解在哪里可以找到这些模型以及如何使用它们。 本文引用地址： 我最近写了一系列关于CMOS反相器功耗的文章。该系列中的模拟采用了LTspice库中预加载的nmos4和pmos4模型。虽然这种方法完全 ...

高速低 kickback 噪声动态比较器采用改进三阶段架构，通过NMOS/PMOS并行预放大器和强臂锁存器设计，实现-0Vdd至Vdd全共模电压 ...

MOS管也叫场效应管，它可以分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。NMOS也叫N型金属氧化物半导体，而由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路。 作为一家专业的分立器件制造商，合科泰生产的二三级管、MOS管、桥堆等产品在市场上应用广泛 ...

提出一种用于宽频带可编程有源滤波器的带宽增强技术，通过差分nMOS/pMOS跨导器结构、共模反馈（CMFB）环路和共享LC网络实现 ...

处理电源电压反转有一些众所周知的方法，最明显的解决方案是在电源和负载之间连接一个二极管，但二极管的正向电压会导致功耗增加。在实际应用二极管并不可取，因为电池在充电时必须吸收电流，在不充电时必须提供电流。 另一种方法是使用 MOS电路 ...

PMOS transistors are less vulnerable to substrate noise since they’re placed in separate wells; designers implement guard rings to attenuate the substrate noise propagation. However, substrate noise ...